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2019-09-17 16:47 来源:药都在线

  

  钱红昊对报告中这句话感触尤其深刻。因此,要基于新的历史方位,来理解和把握中国共产党的历史使命。

王兴东说。党的十九大报告把党的政治建设摆在首位,作为第一项重要任务予以部署,就是因为党的政治建设是党的根本性建设,决定党的建设方向和效果。

    雄关漫道真如铁人间正道是沧桑。如今老戏新唱,调子还是那个调子,唱腔也是那个唱腔,不同的是从前的锣鼓一打响当当,小小凤凰到庙上……钟鼓齐鸣报吉祥,秉烛焚香保安康,变成现在的锣鼓一打响当当,今天登台唱凤凰……回顾党的十八大,五年成果多辉煌;十九大给咱指航向,新时代要有新思想。

  作为保障国家轨道交通安全运营的核心企业,中国铁路通信信号集团公司(以下简称中国通号)一句高铁怎么跑,我们说了算掷地有声。  需要指出的是,中国共产党是世界上最大的政党。

  唯物史观指明了社会主义取代资本主义、人类最终走向共产主义的光明前景。

  经历了长期的革命、建设和改革,中国现在正处于比历史上任何时期都更接近、更有信心和能力实现中华民族伟大复兴目标的历史节点;中华民族正处于从站起来、富起来到强起来的历史节点。

  强化责任,明确分工,推进实施政务服务、监管服务、金融服务、法律服务、多式联运服务五大改革专项。  陈燕萍代表:让十九大精神在基层生根  十九大报告全文共3万多字,我在聆听总书记报告时做了一份笔记,用红笔划线标出一些重点,发现报告通篇都是以人民为中心,这对我们老百姓是一个很大的福音。

  这一重要论述对加强党内政治文化建设、推动党的政治建设具有很强的针对性和指导性。

  向阶段性目标冲刺、为下一棒奔跑蓄力,我们将把光荣与梦想写在历史深处。  葛洲坝集团伊朗公司总经理李洪波表示,十九大为中国未来发展规划了宏伟战略蓝图,我们一定鼓足干劲,不断推进一带一路项目建设,积极承担企业社会责任,为积极推动构建人类命运共同体的伟大倡议作出新的贡献。

  很显然,这样一个蓝图符合绝大部分人民群众对美好生活的需要与追求,从而使我们党具有更强大的社会号召力。

  中国特色社会主义道路的战略目标和阶段性战略任务,先后有过实现温饱、总体小康、全面小康社会等若干个顶层设计。

    1981年,党的十一届六中全会通过的《关于建国以来党的若干历史问题的决议》指出,在社会主义改造基本完成以后,我国所要解决的主要矛盾,是人民日益增长的物质文化需要同落后的社会生产之间的矛盾。因此,一个领导者要为团队树立正确的方向,选择正确的道路,实施正确的方法。

  

  

 
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氧化物阻变存储器机理与性能调控

获奖项目:氧化物阻变存储器机理与性能调控

  主要完成人:刘明(中国科学院微电子研究所),刘琦(中国科学院微电子研究所),管伟华(中国科学院微电子研究所),龙世兵(中国科学院微电子研究所),王艳(中国科学院微电子研究所)

  推荐单位:中国科学院

  获奖等级:国家自然科学奖二等奖

  项目简介:

高性能数据存储是信息科学的重要基础,氧化物阻变存储器(Oxide based Resistive Random Access Memory: O-RRAM)具有优异的存储性能,是国际微电子学科的研究前沿和热点。O-RRAM的阻变机理和性能调控涉及氧化还原、载流子迁移等物理化学效应导致的材料成分、结构和能带变化,是一个挑战性难题,解决该难题将为发展新原理的信息存储奠定科学基础。

该项目在国家自然基金杰青和创新群体、科技部973等项目持续支持下,揭示了O-RRAM的高低阻态转变机理,发现了存储性能调控规律,提出了提高调控参数一致性的方法。主要科学发现如下:

1、在纳米尺度揭示了阻变机理 发展了器件原位表征的透射电子显微镜(TEM)制样方法,在纳米尺度下观察到O-RRAM导电通路形貌、结构、成分、生长/断裂等微观信息,揭示了氧化物导电桥阻变存储器中电子传输对阻变的作用机理,建立了局域氧化/还原效应主导的导电通路生长/断裂模型。惠普实验室首席科学家J. J. Yang等在Nature Nanotechnology综述中四次引用代表性论文1,并评价“在纳米尺度实时观测到阻变过程中材料成分和结构变化是非常有价值的”。

2、发现了功能层掺杂调控存储性能的规律 揭示了通过功能层掺杂降低阴阳离子(氧空位、金属离子等)形成能和迁移势垒的调控机理,发现了功能层阴阳离子分布均匀性对存储性能的作用规律,首次提出了功能层掺杂的存储性能调控方法,解决了原有O-RRAM良率低、性能差的难题。台湾交通大学曾俊元教授(IEEE Fellow)在综述中用近二页篇幅引用代表性论文4-5,并评价“刘研究组首次提出掺杂纳米晶改善阻变存储器性能的方法”。

3、提出了局域电场增强调控器件参数一致性的方法 阐明了导电通路随机生长是器件参数离散的物理本质,发现了功能层电场强度与导电通路生长速率的指数规律,提出了增强局域电场实现导电通路可控生长的方法,完成了器件制备,大幅度提高了器件参数的一致性。纽约州立大学石溪分校Likharev教授(APS/IEEE Fellow)在综述中引用代表性论文8,并评价在参数一致性的问题上“中科院(该项目组)等是最值得关注的”。

8篇代表性论文被SCI他引750次,20篇主要论文被SCI他引1158次。在EDL/TED(该领域最权威期刊)、Adv. Mater.等期刊共发表相关论文68篇,二项工作入选ITRS(国际半导体发展路线图),6篇论文入选ESI高被引论文榜。作为典型进展被莱布尼兹奖获得者Waser、纽约州立大学石溪分校卓越教授Likharev等知名学者写入15本著作和40篇综述。基于该项目的科学发现,成功研制了基于HfO2的1kb O-RRAM,电子学会组织的鉴定会结论为“电路性能国际领先”。

全部成果由该项目组独立完成。第一完成人是杰青和创新群体负责人,973项目首席科学家,第二、四完成人获国家优秀青年基金,第二完成人获卢嘉锡青年人才奖。第一完成人在重要国际会议做邀请报告30次。该项目主要成果获得2015年度中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖。

 

 项目主要完成人

 

阻变存储器简介

 

阻变模型与机理

 

性能调控规律

 

参数一致性方法

 


基于HfO2的1kb RRAM

 

 

 

 

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